题目内容

硅片化学清洗中的一号洗液主要用于去除有机物，其主要化学成分是（）

A. H2SO4/ H2O2/ H2O
B. HCl/ H2O2/ H2O
C. NH3.H2O/ H2O2/ H2O

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在直拉法中掺入杂质时，对于易挥发的杂质如砷，可采用的掺杂方法是（）

A. 投杂法
B. 共熔法
C. 中子嬗变法

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A. 中间高边缘低
B. 中间低边缘高
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在Si，Ge，GaN中禁带宽度从大到小的排列顺序是（）

A. GaN Si Ge
B. GaN Ge Si
C. Si GaN Ge

当晶肧半径r*

A. 消失几率>长大几率
B. 消失几率=长大几率
C. 消失几率