题目内容

晶体生长时，在杂质K<1时，对于凹向熔体的界面，晶体径向的电阻率（）

A. 中间高边缘低
B. 中间低边缘高
C. 径向电阻率均匀分布

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在Si，Ge，GaN中禁带宽度从大到小的排列顺序是（）

A. GaN Si Ge
B. GaN Ge Si
C. Si GaN Ge

当晶肧半径r*

A. 消失几率>长大几率
B. 消失几率=长大几率
C. 消失几率

制备SOI材料的方法中，哪种方法只能制取薄硅层（0.1～0.4μm）和薄埋氧层（0.1～0.4μm）材料( )

A. SDB法
B. SIMOX法
C. Smart Cut法
D. ELTRAN法

晶体生长时，溶液—固相转变的热力学条件是( )

A. 有一定的过饱和度
B. 有一定的过冷度
C. C1 > C0
D. P1 > P0