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当晶肧半径r*

A. 消失几率>长大几率
B. 消失几率=长大几率
C. 消失几率

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制备SOI材料的方法中，哪种方法只能制取薄硅层（0.1～0.4μm）和薄埋氧层（0.1～0.4μm）材料( )

A. SDB法
B. SIMOX法
C. Smart Cut法
D. ELTRAN法

晶体生长时，溶液—固相转变的热力学条件是( )

A. 有一定的过饱和度
B. 有一定的过冷度
C. C1 > C0
D. P1 > P0

从有效分凝系数公式中可知，当f<

A. 分凝效果不明显
B. Keff趋向于1
C. Keff趋向于K0

能使材料熔点上升的杂质，△T=TL-Tm >0(TL体系平衡熔点；Tm纯组分熔点)， ( )

A. K0 < 1 ，提纯时杂质向头部集中
B. K0 < 1 ，提纯时杂质向尾部集中
C. K0 >1 ，提纯时杂质向头部集中
D. K0 > 1 ，提纯时杂质向尾部集中