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在直拉法中掺入杂质时,对于易挥发的杂质如砷,可采用的掺杂方法是( )

A. 投杂法
B. 共熔法
C. 中子嬗变法

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晶体生长时,在杂质K<1时,对于凹向熔体的界面,晶体径向的电阻率( )

A. 中间高边缘低
B. 中间低边缘高
C. 径向电阻率均匀分布

在Si,Ge,GaN中禁带宽度从大到小的排列顺序是( )

A. GaN Si Ge
B. GaN Ge Si
C. Si GaN Ge

当晶肧半径r*

A. 消失几率>长大几率
B. 消失几率=长大几率
C. 消失几率

制备SOI材料的方法中,哪种方法只能制取薄硅层(0.1~0.4μm)和薄埋氧层(0.1~0.4μm)材料( )

A. SDB法
B. SIMOX法
C. Smart Cut法
D. ELTRAN法

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