在Si，Ge，GaN中禁带宽度从大到小的排列顺序是（ ）
A. GaN Si Ge
B. GaN Ge Si
C. Si GaN Ge
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当晶肧半径r*
A. 消失几率>长大几率
B. 消失几率=长大几率
C. 消失几率
制备SOI材料的方法中，哪种方法只能制取薄硅层（0.1～0.4μm）和薄埋氧层（0.1～0.4μm）材料( )
A. SDB法
B. SIMOX法
C. Smart Cut法
D. ELTRAN法
晶体生长时，溶液—固相转变的热力学条件是( )
A. 有一定的过饱和度
B. 有一定的过冷度
C. C1 > C0
D. P1 > P0
从有效分凝系数公式中可知，当f<
A. 分凝效果不明显
B. Keff趋向于1
C. Keff趋向于K0
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