题目内容

能使材料熔点上升的杂质，△T=TL-Tm >0(TL体系平衡熔点；Tm纯组分熔点)， ( )

A. K0 < 1 ，提纯时杂质向头部集中
B. K0 < 1 ，提纯时杂质向尾部集中
C. K0 >1 ，提纯时杂质向头部集中
D. K0 > 1 ，提纯时杂质向尾部集中

查看答案

搜索结果不匹配？点我反馈

更多问题

晶体生长时，在杂质K<1时，对于凸向熔体的界面，晶体径向的电阻率（）

A. 中间高边缘低
B. 中间低边缘低
C. 径向电阻率均匀分布

区熔提纯时，影响杂质浓度极限分布的主要因素是( )

A. 杂质的分凝系数
B. 熔区长度
C. 熔区移动速度
D. 区熔次数

GaAs体单晶的制备方法有（）

A. HB法
B. LEP法
C. VGF法
D. MOCVD法

下面哪些是SOI结构材料的制备方法（）

A. SIMOX
B. SDB
C. ELTRAN
D. VGF