题目内容

下面哪些是SOI结构材料的制备方法（）

A. SIMOX
B. SDB
C. ELTRAN
D. VGF

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制备SOI材料的方法中，下列哪种方法最适用于制备薄硅层（0.1～1μm）和厚埋氧层材料（）

A. SDB法
B. SIMOX法
C. Smart cut法
D. ELTRAN法

在实际区熔提纯时，影响区熔提纯的因素有（）

A. 质量输运
B. 熔区长度
C. 熔区移动速度
D. 区熔次数

常温下，下列材料中禁带宽度最大的是（）

A. Si
B. GaAs
C. GaN

在下面的材料中，哪个材料属于间接带隙的半导体材料（）

A. InP
B. GaAs
C. GaP