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GaAs体单晶的制备方法有( )

A. HB法
B. LEP法
C. VGF法
D. MOCVD法

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下面哪些是SOI结构材料的制备方法( )

A. SIMOX
B. SDB
C. ELTRAN
D. VGF

制备SOI材料的方法中,下列哪种方法最适用于制备薄硅层(0.1~1μm)和厚埋氧层材料( )

A. SDB法
B. SIMOX法
C. Smart cut法
D. ELTRAN法

在实际区熔提纯时,影响区熔提纯的因素有( )

A. 质量输运
B. 熔区长度
C. 熔区移动速度
D. 区熔次数

常温下,下列材料中禁带宽度最大的是( )

A. Si
B. GaAs
C. GaN

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