题目内容

区熔提纯时，影响杂质浓度极限分布的主要因素是( )

A. 杂质的分凝系数
B. 熔区长度
C. 熔区移动速度
D. 区熔次数

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GaAs体单晶的制备方法有（）

A. HB法
B. LEP法
C. VGF法
D. MOCVD法

下面哪些是SOI结构材料的制备方法（）

A. SIMOX
B. SDB
C. ELTRAN
D. VGF

制备SOI材料的方法中，下列哪种方法最适用于制备薄硅层（0.1～1μm）和厚埋氧层材料（）

A. SDB法
B. SIMOX法
C. Smart cut法
D. ELTRAN法

在实际区熔提纯时，影响区熔提纯的因素有（）

A. 质量输运
B. 熔区长度
C. 熔区移动速度
D. 区熔次数