题目内容

晶体生长时，在杂质K<1时，对于凸向熔体的界面，晶体径向的电阻率（）

A. 中间高边缘低
B. 中间低边缘低
C. 径向电阻率均匀分布

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区熔提纯时，影响杂质浓度极限分布的主要因素是( )

A. 杂质的分凝系数
B. 熔区长度
C. 熔区移动速度
D. 区熔次数

GaAs体单晶的制备方法有（）

A. HB法
B. LEP法
C. VGF法
D. MOCVD法

下面哪些是SOI结构材料的制备方法（）

A. SIMOX
B. SDB
C. ELTRAN
D. VGF

制备SOI材料的方法中，下列哪种方法最适用于制备薄硅层（0.1～1μm）和厚埋氧层材料（）

A. SDB法
B. SIMOX法
C. Smart cut法
D. ELTRAN法