题目内容

制备SOI材料的方法中，下列哪种方法最适用于制备薄硅层（0.1～1μm）和厚埋氧层材料（）

A. SDB法
B. SIMOX法
C. Smart cut法
D. ELTRAN法

查看答案

搜索结果不匹配？点我反馈

更多问题

在实际区熔提纯时，影响区熔提纯的因素有（）

A. 质量输运
B. 熔区长度
C. 熔区移动速度
D. 区熔次数

常温下，下列材料中禁带宽度最大的是（）

A. Si
B. GaAs
C. GaN

在下面的材料中，哪个材料属于间接带隙的半导体材料（）

A. InP
B. GaAs
C. GaP

使用有机溶剂清洗硅片的正确操作顺序是（）

A. ①甲苯②丙酮③乙醇④纯水
B. ①乙醇②丙酮③甲苯④纯水
C. ①甲苯②乙醇③丙酮④纯水