题目内容

晶体生长时，溶液—固相转变的热力学条件是( )

A. 有一定的过饱和度
B. 有一定的过冷度
C. C1 > C0
D. P1 > P0

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从有效分凝系数公式中可知，当f<

A. 分凝效果不明显
B. Keff趋向于1
C. Keff趋向于K0

能使材料熔点上升的杂质，△T=TL-Tm >0(TL体系平衡熔点；Tm纯组分熔点)， ( )

A. K0 < 1 ，提纯时杂质向头部集中
B. K0 < 1 ，提纯时杂质向尾部集中
C. K0 >1 ，提纯时杂质向头部集中
D. K0 > 1 ，提纯时杂质向尾部集中

晶体生长时，在杂质K<1时，对于凸向熔体的界面，晶体径向的电阻率（）

A. 中间高边缘低
B. 中间低边缘低
C. 径向电阻率均匀分布

区熔提纯时，影响杂质浓度极限分布的主要因素是( )

A. 杂质的分凝系数
B. 熔区长度
C. 熔区移动速度
D. 区熔次数