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不同的物理气相沉积工艺中,气化或气体迁移的方式不同,但在衬底表面凝聚成膜的过程却是相同的:吸附、迁移、碰撞、成核、成岛、成膜。( )

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PECVD可在低于350℃的条件下进行。()

如何控制硅片腐蚀深度是体微加工技术的关键,控制方法主要有:控制腐蚀时间、设计腐蚀窗口的形状和方向、进行硼重掺杂、利用氧化硅或氮化硅薄层、采用电化学自停止技术。()

惯性传感器、温度传感器通常要进行真空密封;而对于压力传感器、气体传感器、湿度传感器则要采用开腔式封装。()

曝光部分被溶解的光刻胶是()

A. 正胶
B. 负胶
C. 正胶或者负胶

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