题目内容

曝光部分被溶解的光刻胶是()

A. 正胶
B. 负胶
C. 正胶或者负胶

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微加工中光刻的目的一般是()

A. 对MEMS器件照相
B. 转移光刻掩膜板上的图形
C. 获得微比例的图片

下列各项中,属于光刻工艺需要满足的要求的有()

A. 图形分辨率的要求
B. 图形转移精度的要求
C. 光刻胶作为掩膜或模具的性能要求

课程中讲到光刻工艺有三个要素,它们分别是()

A. 光刻胶
B. 光刻掩膜板
C. 光刻机
D. 硅片

根据收集系统的不同,曝光分为三种方式,它们分别是()

A. 接近式
B. 远离式
C. 接触式
D. 投影式