题目内容

晶核长大的动力学模型有（）

A. 完整突变光滑面生长模型
B. 非完整突变光滑面生长模型
C. 杰克逊模型
D. 布赖斯模型

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单晶态半导体的结构特征是（）

A. 长程有序短程有序
B. 长程无序短程有序
C. 长程无序短程无序

硅片化学清洗中的一号洗液主要用于去除有机物，其主要化学成分是（）

A. H2SO4/ H2O2/ H2O
B. HCl/ H2O2/ H2O
C. NH3.H2O/ H2O2/ H2O

在直拉法中掺入杂质时，对于易挥发的杂质如砷，可采用的掺杂方法是（）

A. 投杂法
B. 共熔法
C. 中子嬗变法

晶体生长时，在杂质K<1时，对于凹向熔体的界面，晶体径向的电阻率（）

A. 中间高边缘低
B. 中间低边缘高
C. 径向电阻率均匀分布