晶核长大的动力学模型有( )
A. 完整突变光滑面生长模型
B. 非完整突变光滑面生长模型
C. 杰克逊模型
D. 布赖斯模型
单晶态半导体的结构特征是( )
A. 长程有序短程有序
B. 长程无序短程有序
C. 长程无序短程无序
硅片化学清洗中的一号洗液主要用于去除有机物,其主要化学成分是( )
A. H2SO4/ H2O2/ H2O
B. HCl/ H2O2/ H2O
C. NH3.H2O/ H2O2/ H2O
在直拉法中掺入杂质时,对于易挥发的杂质如砷,可采用的掺杂方法是( )
A. 投杂法
B. 共熔法
C. 中子嬗变法