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直接跃迁过程中,电子的准动量守恒易于满足,跃迁概率大,直接辐射复合的效率高。( )

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非竖直跃迁,一方面涉及电子和电磁辐射的相互作用,另一方面又涉及电子和晶格的相互作用,比竖直跃迁概率小很多,因此,间接带隙半导体材料不能应用于发光器件。( )

深能级杂质往往是造成非辐射复合的根源,不会产生辐射复合过程。( )

GaP是一种间接带隙半导体材料,不能用于发光器件。( )

激子间的复合也可以以辐射复合的方式释放能量,发射出光子,且通常具有很高的发光效率。( )

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