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非竖直跃迁,一方面涉及电子和电磁辐射的相互作用,另一方面又涉及电子和晶格的相互作用,比竖直跃迁概率小很多,因此,间接带隙半导体材料不能应用于发光器件。( )

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深能级杂质往往是造成非辐射复合的根源,不会产生辐射复合过程。( )

GaP是一种间接带隙半导体材料,不能用于发光器件。( )

激子间的复合也可以以辐射复合的方式释放能量,发射出光子,且通常具有很高的发光效率。( )

半导体材料中的电子由高能态向低能态跃迁时,以光子的形式释放多余的能量,这称为()。

A. 辐射跃迁过程
B. 非辐射跃迁过程
C. 俄歇复合