深能级杂质往往是造成非辐射复合的根源,不会产生辐射复合过程。( )
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GaP是一种间接带隙半导体材料,不能用于发光器件。( )
激子间的复合也可以以辐射复合的方式释放能量,发射出光子,且通常具有很高的发光效率。( )
半导体材料中的电子由高能态向低能态跃迁时,以光子的形式释放多余的能量,这称为()。
A. 辐射跃迁过程
B. 非辐射跃迁过程
C. 俄歇复合
如果等电子杂质的电负性比晶格原子的电负性大,则可以形成电子的束缚态,这样的等电子陷阱也可称为()。
A. 等电子的电子陷阱
B. 等电子的空穴陷阱
C. 等电子陷阱
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