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CZ法工艺过程一般由、、、、收尾组成。

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气—固相转变的热力学条件是，熔—固相转变的热力学条件

在Si，Ge，GaN中禁带宽度最大的是______

硅晶体中的化学键类型是，它的晶体结构为。

下列哪些缺陷属于硅外延层的表面缺陷（）

A. 云雾
B. 角锥
C. 层错
D. 滑移线