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气—固相转变的热力学条件是，熔—固相转变的热力学条件

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在Si，Ge，GaN中禁带宽度最大的是______

硅晶体中的化学键类型是，它的晶体结构为。

下列哪些缺陷属于硅外延层的表面缺陷（）

A. 云雾
B. 角锥
C. 层错
D. 滑移线

在硅的同质外延中，外延层中杂质来源很多，下列哪些属于自掺杂（）

A. N(衬底)
B. N(气)
C. N(邻片)
D. N(扩散)