题目内容

提高发光二极管内量子效率的方法有()。

A. 改善外延层晶体质量
B. 采用多量子阱结构的活性层
C. 采用粗糙表面
D. 采用PSS图形衬底

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可以改善LED器件散热性能的技术方法有()。

A. 采用蓝宝石衬底
B. 薄膜(剥离蓝宝石衬底)技术
C. 倒装芯片技术
D. 改变几何外形

金属和P型半导体接触时,当金属功函数大于半导体功函数,理想情况下会形成()。

A. 肖特基接触
B. 欧姆接触

已知Al的功函数为4.05 eV,N型硅的功函数为4.85 eV,理想情况下,Al和N型硅的金半接触是()。

A. 肖特基接触
B. 欧姆接触

肖特基二极管和PN结二极管具有类似的电流电压特性曲线,区别在于肖特基二极管开启电压相对较()。

A. 大
B. 小