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已知Al的功函数为4.05 eV,N型硅的功函数为4.85 eV,理想情况下,Al和N型硅的金半接触是()。

A. 肖特基接触
B. 欧姆接触

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肖特基二极管和PN结二极管具有类似的电流电压特性曲线,区别在于肖特基二极管开启电压相对较()。

A. 大
B. 小

两个半导体材料GaN和AlGaN相接触,形成()。

A. PN结
B. 异质结
C. 异质PN结

MBE系统中最重要的原位分析工具()可以观察单晶表面形貌、晶体结晶性和表面再构,并可以精确测定材料的生长速率。

A. EL
B. RHEED
C. 四极质谱仪
D. 光学生长进程仪

雪崩光电二极管一般具有以下特点()。

A. 反向偏压高,一般为200 V,接近(小于)反向击穿电压
B. 灵敏度高,电流增益可达1000倍数量级
C. 噪声高,材料的Eg越小噪声越大(遂穿效应),放大倍数越高噪声越大
D. 响应速度快