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以下关于pn结中费米能级的说法正确的有( )

A. 平衡态时pn结费米能级处处相等;
B. 正向偏压时,n区费米能级高于p区费米能级;
C. 非平衡态时n区电子准费米能级几乎保持恒定;
D. 非平衡态时n区空穴准费米能级几乎保持很顶;

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以下关于载流子迁移率的说法正确的有( )

A. 常见半导体,电子的迁移率通常大于空穴的迁移率;
B. 载流子迁移率随着温度的升高总是下降的;
C. 在低温时载流子的迁移率随着温度的升高有可能上升;
D. n型或p型半导体载流子迁移率随着掺杂浓度的增大而减小;

对于只掺施主的非简并n型半导体,在强电离区,其电导率随着温度的升高的变化趋势是( )

A. 升高
B. 不变
C. 减小
D. 先升高后减小

关于半导体载流子迁移率和施加的电场强度的关系,以下说法正确的是( )

A. 迁移率与电场强度无关;
B. 弱电场是迁移率与电场强度无关;
C. 强电场下载流子迁移率高于弱电场下的迁移率;
D. 强电场下载流子迁移率低于弱电场下的迁移率;

n型GaAs半导体,在强电场时出现电流密度随着长期增大而减小的现象,它形成的原因是( )

A. 电子的迁移率随着场强增大下降很快;
B. 场强很大时载流子被晶格和电离杂质散射的概率急剧增大;
C. 部分电子跃迁进入了另一个有效质量更大的能谷;
D. 强电场下电子浓度随着电场强度增大而减小;

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