对于只掺施主的非简并n型半导体,在强电离区,其电导率随着温度的升高的变化趋势是( )
A. 升高
B. 不变
C. 减小
D. 先升高后减小
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关于半导体载流子迁移率和施加的电场强度的关系,以下说法正确的是( )
A. 迁移率与电场强度无关;
B. 弱电场是迁移率与电场强度无关;
C. 强电场下载流子迁移率高于弱电场下的迁移率;
D. 强电场下载流子迁移率低于弱电场下的迁移率;
n型GaAs半导体,在强电场时出现电流密度随着长期增大而减小的现象,它形成的原因是( )
A. 电子的迁移率随着场强增大下降很快;
B. 场强很大时载流子被晶格和电离杂质散射的概率急剧增大;
C. 部分电子跃迁进入了另一个有效质量更大的能谷;
D. 强电场下电子浓度随着电场强度增大而减小;
关于扩散电流的以下说法正确的有( )
A. 扩散电流是由于存在载流子浓度梯度而引起的;
B. 扩散电流的方向与载流子的浓度梯度方向一致;
C. 电子的扩散电流方向与其浓度梯度方向一致;
D. 空穴的扩散电流与其浓度梯度的方向一致;
由半导体的霍尔效应实验可以得到半导体的哪些性质和参量?()
A. 半导体的导电类型;
B. 电子浓度或空穴浓度;
C. 电子或空穴的迁移率;
D. 电子或空穴的电导有效质量;