题目内容

n型GaAs半导体,在强电场时出现电流密度随着长期增大而减小的现象,它形成的原因是( )

A. 电子的迁移率随着场强增大下降很快;
B. 场强很大时载流子被晶格和电离杂质散射的概率急剧增大;
C. 部分电子跃迁进入了另一个有效质量更大的能谷;
D. 强电场下电子浓度随着电场强度增大而减小;

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A. 扩散电流是由于存在载流子浓度梯度而引起的;
B. 扩散电流的方向与载流子的浓度梯度方向一致;
C. 电子的扩散电流方向与其浓度梯度方向一致;
D. 空穴的扩散电流与其浓度梯度的方向一致;

A. 半导体的导电类型;
B. 电子浓度或空穴浓度;
C. 电子或空穴的迁移率;
D. 电子或空穴的电导有效质量;

A. 本征半导体的费米能级等于本征费米能级;
B. n型半导体的费米能级高于本征费米能级;
C. p型半导体的费米能级低于本征费米能级;
D. n型或p型半导体,掺杂浓度越大费米能级距离本征费米能级越远;

A. 低温弱电离区;
B. 强电离区;
C. 过渡区;
D. 本征激发区;