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任何沉积工艺都会在薄膜中产生应力,应力来源主要包括薄膜生长过程中产生的本征应力,以及由于薄膜与衬底的热膨胀系数不匹配而导致的热应力。()

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物理气相沉积只需要提供气体迁移所需要的低压或等离子体环境这样一个基本条件即可。()

不同的物理气相沉积工艺中,气化或气体迁移的方式不同,但在衬底表面凝聚成膜的过程却是相同的:吸附、迁移、碰撞、成核、成岛、成膜。( )

PECVD可在低于350℃的条件下进行。()

如何控制硅片腐蚀深度是体微加工技术的关键,控制方法主要有:控制腐蚀时间、设计腐蚀窗口的形状和方向、进行硼重掺杂、利用氧化硅或氮化硅薄层、采用电化学自停止技术。()

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