题目内容

下列属于逆扩散的是（）。

A. 玻璃分相的不稳区分解
B. 半导体的掺杂
C. 材料表面处理
D. 陶瓷材料的封接

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离子型化合物中，Ds、Dg、Db分别为表面扩散系数、晶界扩散系数和晶格扩散系数，一般规律是（）。

A. Ds>Db>Dg
B. Ds>Dg>Db
C. Db >Dg> Ds
Db>Ds>Dg

今有原料Mg（OH）2、MgO、γ-Al2O3、α-Al2O3用于合成镁铝尖晶石，从提高反应速率的角度出发，选择（）。

A. Mg（OH）2和γ-Al2O3
B. Mg（OH）2和α-Al2O3
C. MgO和γ-Al2O3
D. MgO和α-Al2O3

空位扩散活化能由（）组成。

A. 空位形成能
B. 空位迁移能
C. 间隙原子迁移能
D. 空位形成能和空位迁移能

目前常用 γGB 晶界能和 γSV 表面能之比值来衡量烧结的难易，若材料 γGB / γSV 越大，则 ()。

A. 愈容易烧结
B. 对烧结无影响
C. 愈难烧结