题目内容

微加工中光刻的目的一般是()

A. 对MEMS器件照相
B. 转移光刻掩膜板上的图形
C. 获得微比例的图片

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下列各项中,属于光刻工艺需要满足的要求的有()

A. 图形分辨率的要求
B. 图形转移精度的要求
C. 光刻胶作为掩膜或模具的性能要求

课程中讲到光刻工艺有三个要素,它们分别是()

A. 光刻胶
B. 光刻掩膜板
C. 光刻机
D. 硅片

根据收集系统的不同,曝光分为三种方式,它们分别是()

A. 接近式
B. 远离式
C. 接触式
D. 投影式

提高投影式曝光分辨率的三种主要途径是()

A. 缩短曝光波长
B. 增大K系数
C. 减小K系数
D. 增大数值孔径