题目内容

PN结产生隧道电流的条件包括()。

A. 费米能级位于导带或价带的内部
B. 空间电荷区的宽度很窄
C. 在相同的能量水平上在一侧的能带中有电子而在另一侧的能带中有空的状态
D. 半导体均为简并半导体

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产生光放大的必要条件是实现粒子数反转分布,半导体激光器实现粒子数反转分布的条件是()。

A. 采用非简并半导体
B. 采用简并半导体
C. 采用重掺杂半导体

提高发光二极管内量子效率的方法有()。

A. 改善外延层晶体质量
B. 采用多量子阱结构的活性层
C. 采用粗糙表面
D. 采用PSS图形衬底

可以改善LED器件散热性能的技术方法有()。

A. 采用蓝宝石衬底
B. 薄膜(剥离蓝宝石衬底)技术
C. 倒装芯片技术
D. 改变几何外形

金属和P型半导体接触时,当金属功函数大于半导体功函数,理想情况下会形成()。

A. 肖特基接触
B. 欧姆接触