题目内容

理想pn结的理想化条件有( )

A. 非平衡载流子处于小注入状态;
B. 半导体均处于非简并状态;
C. 空间电荷区中不存在载流子的复合;
D. 空间电荷区中不存在载流子的产生;

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影响pn结电流电压特性的非理想因素主要有哪些?( )

A. 势垒区产生电流;
B. 势垒区复合电流;
C. 大注入;
D. 表面态;

pn结击穿类型中,哪一种击穿类型是由于量子隧道效应引起的?( )

A. 雪崩击穿
B. 齐纳击穿
C. 热电击穿;

对于禁带宽度较小的半导体材料形成的pn结,容易发生哪种类型的击穿?( )

A. 雪崩击穿
B. 齐纳击穿
C. 热电击穿

实际pn结的反向电流不饱和主要是由哪种非理想因素引起的?( )

A. 大注入
B. 势垒区复合电流
C. 势垒区产生电流
D. 表面效应