题目内容

对于禁带宽度较小的半导体材料形成的pn结,容易发生哪种类型的击穿?( )

A. 雪崩击穿
B. 齐纳击穿
C. 热电击穿

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实际pn结的反向电流不饱和主要是由哪种非理想因素引起的?( )

A. 大注入
B. 势垒区复合电流
C. 势垒区产生电流
D. 表面效应

当金属的功函数远大于半导体的亲合能时,该金属与n型该半导体的接触容易形成( )

A. 肖特基势垒二极管;
B. 欧姆接触

理想肖特基势垒二极管的肖特基势垒大小由什么因素决定?( )

A. 金属功函数大小
B. 半导体亲合能大小
C. 半导体费米能级相对于金属费米能级的位置
D. 金属功函数和半导体亲和能之差

平衡态的肖特基势垒二极管半导体势垒区势垒的高度由什么因素决定?( )

A. 金属功函数大小
B. 半导体亲合能大小
C. 半导体费米能级相对于金属费米能级的位置
D. 金属功函数和半导体亲和能之差