影响pn结电流电压特性的非理想因素主要有哪些?( )
A. 势垒区产生电流;
B. 势垒区复合电流;
C. 大注入;
D. 表面态;
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pn结击穿类型中,哪一种击穿类型是由于量子隧道效应引起的?( )
A. 雪崩击穿
B. 齐纳击穿
C. 热电击穿;
对于禁带宽度较小的半导体材料形成的pn结,容易发生哪种类型的击穿?( )
A. 雪崩击穿
B. 齐纳击穿
C. 热电击穿
实际pn结的反向电流不饱和主要是由哪种非理想因素引起的?( )
A. 大注入
B. 势垒区复合电流
C. 势垒区产生电流
D. 表面效应
当金属的功函数远大于半导体的亲合能时,该金属与n型该半导体的接触容易形成( )
A. 肖特基势垒二极管;
B. 欧姆接触
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