DRIE代表()
A. 干法腐蚀
B. 干法反应离子刻蚀
C. 反应离子深刻蚀
MEMS加工工艺中使用到光刻、刻蚀、薄膜沉积、掺杂等基本的半导体加工工艺,而为了得到具有特定机械性能和物理功能的微结构,开发出了一些特殊工艺,例如()
A. 表面牺牲层工艺
B. 体微加工工艺
C. 软光刻工艺
D. LIGA工艺
在MEMS中常常需要加工高深宽比结构,刻蚀这样的结构需要满足的条件有()
A. 要有足够高的温度
B. 要有足够高的刻蚀速率
C. 掩模有足够高的抗刻蚀性
D. 各向异性的刻蚀工艺
在MEMS中,掺杂工艺主要有扩散和离子注入两种方式,以下哪些是扩散掺杂的特点()
A. 设备简单、成本低
B. 大批量
C. 是高温工艺,不能直接用光刻胶图形作为掩模
D. 掺杂浓度和深度不能精确控制
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