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DRIE代表()

A. 干法腐蚀
B. 干法反应离子刻蚀
C. 反应离子深刻蚀

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MEMS加工工艺中使用到光刻、刻蚀、薄膜沉积、掺杂等基本的半导体加工工艺,而为了得到具有特定机械性能和物理功能的微结构,开发出了一些特殊工艺,例如()

A. 表面牺牲层工艺
B. 体微加工工艺
C. 软光刻工艺
D. LIGA工艺

在MEMS中常常需要加工高深宽比结构,刻蚀这样的结构需要满足的条件有()

A. 要有足够高的温度
B. 要有足够高的刻蚀速率
C. 掩模有足够高的抗刻蚀性
D. 各向异性的刻蚀工艺

在MEMS中,掺杂工艺主要有扩散和离子注入两种方式,以下哪些是扩散掺杂的特点()

A. 设备简单、成本低
B. 大批量
C. 是高温工艺,不能直接用光刻胶图形作为掩模
D. 掺杂浓度和深度不能精确控制

以下哪些是硅微麦克风的设计目标?()

A. 膜片弯曲平动化
B. 电容检测线性化
C. 提高谐振频率
D. 增大压膜阻尼

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