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当合金中元素的蒸发速率相差很大时，制作这种合金薄膜可采用( )

A．同时蒸发法
B．瞬时蒸发法
C．多源蒸发

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真空蒸发时，蒸发温度通常选取饱和蒸气压为( )时的温度。

A．10-1托
B．10-2托
C．10-3托

以下CVD技术中，工作压强最低的一类方法是（）。

A. APCVD
B. LPCVD
C. UHV/CVD
D. D. P-CVD

硅是良好的半导体材料，但是自然界没有单质硅存在。工业上，在高温下用焦炭还原SiO2方法可制得含少量杂质的粗硅。将粗硅在高温下跟氯化氢气反应生成三氯氢硅，三氯氢硅经分馏提纯后，再用氢气还原得纯硅。写出制粗硅的方法和制得纯硅的所有化学方式：、、 __

CZ法工艺过程一般由烤晶、、、、、收尾组成。