题目内容

关于理想pn结中的电流,以下说法正确的有()

A. pn结电流等于空间电荷区边界处非平衡少子扩散电流之和。
B. 不论正偏压还是反偏压,流经pn结的电流都是由少子的扩散引起的;
C. 在p区和n区内部不仅存在少子扩散电流还存在多子的漂移电流;
D. 在特定温度和电压下,整个pn结中电流处处相等且保持恒定;

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关于pn结空间电荷区中的电场的以下说法正确的有()

A. 平衡态下空间电荷区中的电场强度恒定;
B. 在空间电荷区边界处电场强度近似为0;
C. 在n和p型半导体交界处电场强度最大;
D. 电场的方向由n区指向p区;

关于pn结空间电荷区的宽度的说法,正确的有( )

A. 掺杂浓度越大空间电荷区宽度越大;
B. 掺杂浓度越大空间电荷区宽度越小;
C. 反偏电压越大空间电荷区宽度越大;
D. 反偏电压越小空间电荷区宽度越小;

关于pn结势垒电容的以下说法正确的有( )

A. pn结势垒电容可以看成是平行板电容器;
B. 正向偏压时相当于电容充电过程;
C. 正向偏压时相当于电容放电过程;
D. pn结势垒电容的大小随着反偏电压增大而增大;

理想pn结的理想化条件有( )

A. 非平衡载流子处于小注入状态;
B. 半导体均处于非简并状态;
C. 空间电荷区中不存在载流子的复合;
D. 空间电荷区中不存在载流子的产生;