题目内容

关于pn结空间电荷区的宽度的说法,正确的有( )

A. 掺杂浓度越大空间电荷区宽度越大;
B. 掺杂浓度越大空间电荷区宽度越小;
C. 反偏电压越大空间电荷区宽度越大;
D. 反偏电压越小空间电荷区宽度越小;

查看答案

搜索结果不匹配？点我反馈

更多问题

关于pn结势垒电容的以下说法正确的有( )

A. pn结势垒电容可以看成是平行板电容器;
B. 正向偏压时相当于电容充电过程;
C. 正向偏压时相当于电容放电过程;
D. pn结势垒电容的大小随着反偏电压增大而增大;

理想pn结的理想化条件有( )

A. 非平衡载流子处于小注入状态;
B. 半导体均处于非简并状态;
C. 空间电荷区中不存在载流子的复合;
D. 空间电荷区中不存在载流子的产生;

影响pn结电流电压特性的非理想因素主要有哪些?( )

A. 势垒区产生电流;
B. 势垒区复合电流;
C. 大注入;
D. 表面态;

pn结击穿类型中,哪一种击穿类型是由于量子隧道效应引起的?( )

A. 雪崩击穿
B. 齐纳击穿
C. 热电击穿;