两个靠得足够近的相向异质结可以构成理想的矩形势阱,当阱宽可以和电子的德布罗意波长相比,而势垒的宽度较大,使两个相邻势阱中的电子波函数不能互相耦合(不发生交叠),即形成一个()。
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由两种或两种以上性质不同的薄膜相互交替生长而形成的多层结构的人造晶体被称为()。
A. 单量子阱
B. 多量子阱
C. 超晶格
组分超晶格根据两种半导体材料能带分布情况的不同,分为三种不同类型,其中电子势阱和空穴势阱位于同一种材料中时被称为()。
A. I型超晶格
B. II型超晶格
C. III型超晶格
半导体超晶格的类型包括()
A. 组分超晶格
B. 掺杂超晶格
C. 应变超晶格
SiGe/Si是一种典型的()材料
A. 组分超晶格
B. 掺杂超晶格
C. 应变超晶格
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