题目内容

由两种或两种以上性质不同的薄膜相互交替生长而形成的多层结构的人造晶体被称为()。

A. 单量子阱
B. 多量子阱
C. 超晶格

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组分超晶格根据两种半导体材料能带分布情况的不同,分为三种不同类型,其中电子势阱和空穴势阱位于同一种材料中时被称为()。

A. I型超晶格
B. II型超晶格
C. III型超晶格

半导体超晶格的类型包括()

A. 组分超晶格
B. 掺杂超晶格
C. 应变超晶格

SiGe/Si是一种典型的()材料

A. 组分超晶格
B. 掺杂超晶格
C. 应变超晶格

多量子阱中,由于势阱的限制作用,每一个势阱中的电子或空穴在垂直于结面方向运动的能量不再连续,只能取一系列分立的能带值。( )