题目内容

一个n型或p型半导体,当缺陷能级靠近本征费米能级时,以下哪种效应最强?( )

A. 载流子的俘获
B. 载流子的发射
C. 载流子的复合
D. 陷阱效应

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A. 增大肖特基势垒;
B. 降低肖特基势垒
C. 几乎不影响

A. 线性增大;
B. 线性减小;
C. 非线性增大;
D. 非线性减小

A. 肖特基势垒二极管的反向电流远大于pn结二极管的反向电流;
B. 肖特基势垒二极管的开启电压小于pn结势垒二极管的开启电压;
C. 肖特基势垒二极管的频率相应快于pn结势垒二极管的开启电压;
D. 理想肖特基势垒二极管反向电流不饱和,而理想pn结二极管的反向电流饱和;

A. pn结电流等于空间电荷区边界处非平衡少子扩散电流之和。
B. 不论正偏压还是反偏压,流经pn结的电流都是由少子的扩散引起的;
C. 在p区和n区内部不仅存在少子扩散电流还存在多子的漂移电流;
D. 在特定温度和电压下,整个pn结中电流处处相等且保持恒定;