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直流辉光放电时,负辉光区的大部分分子状态处于 ( )

A.基态
B.激发态
C.离子态

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溅射镀膜时,下列哪个放电区是溅射区域( )

A.正常辉光放电区
B.异常辉光放电区
C.汤森放电区

测量同一种薄膜时,下列哪种膜厚测量值最大( )

A.形状膜厚dT
B.质量膜厚dM
C.物性膜厚dP

反应蒸发时,蒸发原子或低价化合物分子与活性气体发生反应的地方在( )

A.蒸发源表面
B.蒸发源到基板的空间
C.基板表面

当合金中元素的蒸发速率相差很大时,制作这种合金薄膜可采用( )

A.同时蒸发法
B.瞬时蒸发法
C.多源蒸发

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