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沿非极性面生长的GaN量子阱结构,在外场作用下能带不会发生倾斜,不会产生量子限制斯塔克效应,对发光波长和复合几率没有影响。( )

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量子尺寸效应中,当半导体材料的尺寸减小到某一值时,随着尺寸的减小,光吸收谱发生()。

A. 蓝移
B. 红移

量子限制斯塔克效应主要发生在具有()的半导体构成的量子阱结构中。

A. 压电效应
B. 极化效应
C. 铁电效应

量子限制斯塔克效应中,当在(多)量子阱上加偏压时,由于压电效应,量子阱的能带会发生倾斜,吸收边发生()。

A. 蓝移
B. 红移

量子阱和超晶格结构中主要的新现象和效应包括()

A. 量子尺寸效应
B. 量子限域效应
C. 共振隧穿效应
D. 量子限制斯塔克效应