题目内容

量子阱和超晶格结构中主要的新现象和效应包括()

A. 量子尺寸效应
B. 量子限域效应
C. 共振隧穿效应
D. 量子限制斯塔克效应

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对于III-V族氮化物,包括GaN, AlN, InN, AlGaN, InGaN等,材料中存在极化效应一般包括()。

A. 自发极化
B. 压电极化
C. 铁电极化

当半导体材料的尺寸小于或者等于该材料的激子玻尔半径时,准连续的能级转化为离散的能级。( )

由于量子限域效应,激子的最低能量向高能方向移动,即发生蓝移。( )

自发极化源自晶胞结构的非对称性,其方向只跟外延方向有关。( )