两个半导体材料GaN和AlGaN相接触,形成()。
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MBE系统中最重要的原位分析工具()可以观察单晶表面形貌、晶体结晶性和表面再构,并可以精确测定材料的生长速率。
A. EL
B. RHEED
C. 四极质谱仪
D. 光学生长进程仪
雪崩光电二极管一般具有以下特点()。
A. 反向偏压高,一般为200 V,接近(小于)反向击穿电压
B. 灵敏度高,电流增益可达1000倍数量级
C. 噪声高,材料的Eg越小噪声越大(遂穿效应),放大倍数越高噪声越大
D. 响应速度快
PN光电二极管通常工作于反偏模式,在反向偏压下,可以显著提高光电导。( )
光电二极管的频率特性是半导体光电器件中最好的一种,特别适合快速变化的光信号探测。( )