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半导体材料的发光过程就是电子从高能态向低能态辐射跃迁的过程,也就是电子-空穴对复合的过程,辐射复合又包括()。

A. 自发辐射复合
B. 受激辐射复合
C. 直接辐射复合
D. 间接辐射复合

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由于半导体材料能带结构的不同,带间辐射复合又可以分为两种()。

A. 自发辐射复合
B. 受激辐射复合
C. 直接辐射复合
D. 间接辐射复合

半导体材料中的发光主要是导带和价带之间的跃迁,发射的光子能量等于半导体的禁带宽度。( )

只有沿极性面生长的GaN量子阱结构才会有自发极化和压电极化效应。( )

沿非极性面生长的GaN量子阱结构,在外场作用下能带不会发生倾斜,不会产生量子限制斯塔克效应,对发光波长和复合几率没有影响。( )