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硅的导带极值位于方向,在简约布里渊区内共8个旋转椭球面。( )

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下列哪种材料直接带隙的是( )。

A. Si
B. Ge
C. GaAs
D. AlN

轻掺杂为B的Si,其电阻率随温度升高变化过程为( )。

A. 单调上升
B. 单调下降
C. 不变
D. 先减小后增大再减小

半导体中载流子迁移率的大小主要决定于( )。

A. 复合机构
B. 散射机构
C. 能带结构
D. 晶体结构

描述半导体载流子在外加电场驱动下运动强弱的参数是( )。

A. 有效质量
B. 迁移率
C. 寿命
D. 扩散系数