题目内容

轻掺杂为B的Si,其电阻率随温度升高变化过程为( )。

A. 单调上升
B. 单调下降
C. 不变
D. 先减小后增大再减小

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半导体中载流子迁移率的大小主要决定于( )。

A. 复合机构
B. 散射机构
C. 能带结构
D. 晶体结构

描述半导体载流子在外加电场驱动下运动强弱的参数是( )。

A. 有效质量
B. 迁移率
C. 寿命
D. 扩散系数

对于轻掺杂为P的Si,费米能级EF随温度上升而( )。

A. 单调上升
B. 单调下降
C. 经过一极小值后趋近Ei
D. 经过一极大值后趋近Ei

电子在晶体中的共有化运动是指电子在晶体( )。

A. 各处出现的几率相等
B. 各处的相位相同
C. 各原胞对应点出现的几率相同
D. 各原胞对应点的相位相同