题目内容

对于轻掺杂为P的Si,费米能级EF随温度上升而( )。

A. 单调上升
B. 单调下降
C. 经过一极小值后趋近Ei
D. 经过一极大值后趋近Ei

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电子在晶体中的共有化运动是指电子在晶体( )。

A. 各处出现的几率相等
B. 各处的相位相同
C. 各原胞对应点出现的几率相同
D. 各原胞对应点的相位相同

有效复合中心能级通常都是靠近( )。

A. EC
B. EV
C. Ei
D. EF

半导体中载流子寿命的大小主要决定于( )。

A. 复合机构
B. 散射机构
C. 能带结构
D. 晶体结构

通常情况下,下面的半导体中具有闪锌矿结构的是( )。

A. Si
B. Ge
C. GaAs
D. ZnO