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压电极化源自不同外延层之间的应力,其方向跟晶胞结构及应力性质有关。( )

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在AlGaN/GaN突变异质结结构中,即使不对AlGaN势垒层进行任何掺杂,也可产生大量二维电子气。( )

多量子阱结构,其势垒足够厚和高,相邻势阱中的电子波函数不发生交叠,电子行为如同单个阱中电子行为的简单总和。( )

多量子阱结构主要适合制作低阈值、窄谱线的发光器件超晶格结构适合制作大功率的光电器件。( )

两个靠得足够近的相向异质结可以构成理想的矩形势阱,当阱宽可以和电子的德布罗意波长相比,而势垒的宽度较大,使两个相邻势阱中的电子波函数不能互相耦合(不发生交叠),即形成一个()。

A. 单量子阱
B. 多量子阱
C. 超晶格